cl是什么，cl是什么元素

氯元素， cl2是氯氣

cl是clannad動漫。CL在動漫里的意思是指CLANNAD,CLANNAD是一款動漫游戲。CLANNAD是日本游戲品牌Key繼Kanon、AIR后發(fā)行的第三款戀愛冒險游戲，游戲于2004年4月28日發(fā)行PC初回限定版，依此為原作改編或擴(kuò)充跨媒體制作的作品。CL全稱clannad，2007年由京都動畫根據(jù)key社的galgame同名游戲改編，故事講述不良少年男主朋也對生活和未來充滿了失望的他在櫻花坂道上遇見了改變其一生的女主，從此他的生活充滿了色彩的故事。動漫產(chǎn)業(yè)的概述動漫產(chǎn)業(yè)，是指以創(chuàng)意為核心，以動畫、漫畫為主要表現(xiàn)形式，包含動畫片、漫畫書、報刊、電影、電視、音像制品、舞臺劇和基于現(xiàn)代信息傳播技術(shù)手段的動漫新品種等動漫直接產(chǎn)品的開發(fā)、生產(chǎn)、出版、播出、演出和銷售。以及與動漫形象有關(guān)的服裝、玩具、電子游戲等衍生產(chǎn)品的生產(chǎn)和經(jīng)營的產(chǎn)業(yè)，因為有著廣泛的發(fā)展前景，動漫產(chǎn)業(yè)被稱為新興的朝陽產(chǎn)業(yè)。

氯是一種鹵族化學(xué)元素，化學(xué)符號為Cl，原子序數(shù)為17，英文名：Chlorine（Cl）。氯常溫常壓下為黃綠色氣體。

氯元素

1個氯原子，氯元素

氯

録元素

這是氯的化學(xué)符號

宏觀，氯元素

如果題目只是問“cl-1-”表示什么，只寫表示“氯離子”就可以

[編輯本段]單詞縮寫 1. milliliter 毫升，計量單位。 進(jìn)率：1L=1立方分米 = 0.001立方米 1ml=1立方厘米 = 0.000001立方米 ml 與 L 之間是1000進(jìn)率，立方米，立方分米，立方厘米之間也是1000進(jìn)率。 2. ml 是中國大陸人創(chuàng)造發(fā)明英文"make love" 的縮寫，中文就是做愛的意思。有些無知的人，認(rèn)為這樣寫比較"含蓄"。他們卻不知道在中國古代，早已有一些含蓄的詞匯來表達(dá)同樣的意思。例如： 房事，云雨一番，同房，等。顯示出，現(xiàn)代中國人對自己國家的古代文化的缺乏

若制

CL是一種化學(xué)元素氯，是一種非金屬元素。CL是一種化學(xué)元素氯，是一種非金屬元素。氯氣常溫常壓下為黃綠色氣體，化學(xué)性質(zhì)十分活潑，具有毒性。氯氣中毒特征和反應(yīng)：(1)氯氣刺激反應(yīng):出現(xiàn)一過性的眼及上呼吸道刺激癥狀; (2)輕度中毒:主要表現(xiàn)為支氣管炎和支氣管周圍炎，有咳嗽，，兩肺有干羅音或哮鳴音，可有少量濕羅音; (3)中度中毒:主要表現(xiàn)為支氣管肺炎、間質(zhì)性肺水腫或局限的肺泡性肺水腫。咳嗽、咳痰、氣短、胸悶或胸痛，可有輕度發(fā)紺，兩肺有干性或濕性羅音; (4)重度中毒:臨床上表現(xiàn)為①咳嗽、咯大量白色或粉紅色泡沫痰，呼吸困難，胸部緊束感，明顯發(fā)紺，兩肺有彌漫性濕羅音;②嚴(yán)重窒息;③中、重度昏迷;④卒死;⑤出現(xiàn)嚴(yán)重并發(fā)癥，如氣胸、縱隔氣腫等。

氯

很多種意思看你指的什么領(lǐng)域的了首先 是氯的化學(xué)符號然后 是某論壇的縮寫如果你指的是某論壇5狗肉館9熔透焊1讓她見浩特m好大夫n獲得豐厚的每行第一個數(shù)字和字母自己加 點考姆這個你上不去的話用什么都不好使

cl是cas latency的縮寫，指的是cpu在接到讀取某列內(nèi)存地址上數(shù)據(jù)的指令后到實際開始讀出數(shù)據(jù)所需的等待時間，cl=2指等待時間為2個cpu時鐘周期，而cl=3則為3個cpu時鐘周期。對今天的高速cpu而言，1個時鐘周期的長度微乎其微。因此不論cl=2還是cl=3的內(nèi)存，用戶在實際使用中幾乎是感覺不到性能差距的。而廠家在生產(chǎn)內(nèi)存條時，不論cl=2還是cl=3，用的都是同樣的原料和設(shè)備。只是在生產(chǎn)完成后檢測時，挑出精度高的當(dāng)cl=2的賣，精度相對低一些的則當(dāng)cl=3的賣。實際上有不少被當(dāng)作cl=3賣的內(nèi)存條也可以在cl=2下工作。

CL（CAS Latency）：為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一?！　? 內(nèi)存負(fù)責(zé)向CPU提供運算所需的原始數(shù)據(jù)，而目前CPU運行速度超過內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待內(nèi)存提供數(shù)據(jù)，這就是常說的“CPU等待時間”。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰?，CPU等待時間就會越長，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內(nèi)存是有效提升CPU效率和整機(jī)性能的關(guān)鍵之一。 　　在實際工作時，無論什么類型的內(nèi)存，在數(shù)據(jù)被傳輸之前，傳送方必須花費一定時間去等待傳輸請求的響應(yīng)，通俗點說就是傳輸前傳輸雙方必須要進(jìn)行必要的通信，而這種就會造成傳輸?shù)囊欢ㄑ舆t時間。CL設(shè)置一定程度上反映出了該內(nèi)存在CPU接到讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)的指令后，到正式開始讀取數(shù)據(jù)所需的等待時間。不難看出同頻率的內(nèi)存，CL設(shè)置低的更具有速度優(yōu)勢。 　　上面只是給大家建立一個基本的CL概念，而實際上內(nèi)存延遲的基本因素絕對不止這些。內(nèi)存延遲時間有個專門的術(shù)語叫“Latency”。要形象的了解延遲，我們不妨把內(nèi)存當(dāng)成一個存儲著數(shù)據(jù)的數(shù)組，或者一個EXCEL表格，要確定每個數(shù)據(jù)的位置，每個數(shù)據(jù)都是以行和列編排序號來標(biāo)示，在確定了行、列序號之后該數(shù)據(jù)就唯一了。內(nèi)存工作時，在要讀取或?qū)懭肽硵?shù)據(jù)，內(nèi)存控制芯片會先把數(shù)據(jù)的列地址傳送過去，這個RAS信號（Row Address Strobe，行地址信號）就被激活，而在轉(zhuǎn)化到行數(shù)據(jù)前，需要經(jīng)過幾個執(zhí)行周期，然后接下來CAS信號（Column Address Strobe，列地址信號）被激活。在RAS信號和CAS信號之間的幾個執(zhí)行周期就是RAS-to-CAS延遲時間。在CAS信號被執(zhí)行之后同樣也需要幾個執(zhí)行周期。此執(zhí)行周期在使用標(biāo)準(zhǔn)PC133的SDRAM大約是2到3個周期；而DDR RAM則是4到5個周期。在DDR中，真正的CAS延遲時間則是2到2.5個執(zhí)行周期。RAS-to-CAS的時間則視技術(shù)而定，大約是5到7個周期，這也是延遲的基本因素。 　　CL設(shè)置較低的內(nèi)存具備更高的優(yōu)勢，這可以從總的延遲時間來表現(xiàn)。內(nèi)存總的延遲時間有一個計算公式，總延遲時間=系統(tǒng)時鐘周期×CL模式數(shù)+存取時間（tAC）。首先來了解一下存取時間（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時的最大數(shù)輸入時鐘，是以納秒為單位的，與內(nèi)存時鐘周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時間（tAC）代表著讀取、寫入的時間，而時鐘頻率則代表內(nèi)存的速度。 　　舉個例子來計算一下總延遲時間，比如一條DDR333內(nèi)存其存取時間為6ns，而其內(nèi)存時鐘周期為6ns（DDR內(nèi)存時鐘周期＝1X2/內(nèi)存頻率，DDR400內(nèi)存頻率為400，則可計算出其時鐘周期為6ns）。我們在主板的BIOS中將其CL設(shè)置為2.5，則總的延遲時間＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL設(shè)置為2，那么總的延遲時間＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就減少了3ns的時間。 　　從總的延遲時間來看，CL值的大小起到了很關(guān)鍵的作用。所以對系統(tǒng)要求高和喜歡超頻的用戶通常喜歡購買CL值較低的內(nèi)存。目前各內(nèi)存顆粒廠商除了從提高內(nèi)存時鐘頻率來提高DDR的性能之外，已經(jīng)考慮通過更進(jìn)一步的降低CAS延遲時間來提高內(nèi)存性能。 　　不過，并不是說CL值越低性能就越好，因為其它的因素會影響這個數(shù)據(jù)。例如，新一代處理器的高速緩存較有效率，這表示處理器比較少地直接從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)。再者，列的數(shù)據(jù)會比較常被存取，所以RAS-to-CAS的發(fā)生幾率也大，讀取的時間也會增多。最后，有時會發(fā)生同時讀取大量數(shù)據(jù)的情形，在這種情形下，相鄰的內(nèi)存數(shù)據(jù)會一次被讀取出來，CAS延遲時間只會發(fā)生一次。 　　選擇購買內(nèi)存時，最好選擇同樣CL設(shè)置的內(nèi)存，因為不同速度的內(nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，系統(tǒng)會以較慢的速度來運行，也就是當(dāng)CL2.5和CL2的內(nèi)存同時插在主機(jī)內(nèi)，系統(tǒng)會自動讓兩條內(nèi)存都工作在CL2.5狀態(tài)，造成資源浪費。

魔獸里面 CL 是 甲蟲,一個英雄

內(nèi)存負(fù)責(zé)向CPU提供運算所需的原始數(shù)據(jù)，而目前CPU運行速度超過內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待內(nèi)存提供數(shù)據(jù)，這就是常說的“CPU等待時間”。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰?，CPU等待時間就會越長，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內(nèi)存是有效提升CPU效率和整機(jī)性能的關(guān)鍵之一。 在實際工作時，無論什么類型的內(nèi)存，在數(shù)據(jù)被傳輸之前，傳送方必須花費一定時間去等待傳輸請求的響應(yīng)，通俗點說就是傳輸前傳輸雙方必須要進(jìn)行必要的通信，而這種就會造成傳輸?shù)囊欢ㄑ舆t時間。CL設(shè)置一定程度上反映出了該內(nèi)存在CPU接到讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)的指令后，到正式開始讀取數(shù)據(jù)所需的等待時間。不難看出同頻率的內(nèi)存，CL設(shè)置低的更具有速度優(yōu)勢。 上面只是給大家建立一個基本的CL概念，而實際上內(nèi)存延遲的基本因素絕對不止這些。內(nèi)存延遲時間有個專門的術(shù)語叫“Latency”。要形象的了解延遲，我們不妨把內(nèi)存當(dāng)成一個存儲著數(shù)據(jù)的數(shù)組，或者一個EXCEL表格，要確定每個數(shù)據(jù)的位置，每個數(shù)據(jù)都是以行和列編排序號來標(biāo)示，在確定了行、列序號之后該數(shù)據(jù)就唯一了。內(nèi)存工作時，在要讀取或?qū)懭肽硵?shù)據(jù)，內(nèi)存控制芯片會先把數(shù)據(jù)的列地址傳送過去，這個RAS信號（Row Address Strobe，行地址信號）就被激活，

內(nèi)存負(fù)責(zé)向CPU提供運算所需的原始數(shù)據(jù)，而目前CPU運行速度超過內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待內(nèi)存提供數(shù)據(jù)，這就是常說的“CPU等待時間”。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰珻PU等待時間就會越長，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內(nèi)存是有效提升CPU效率和整機(jī)性能的關(guān)鍵之一。 在實際工作時，無論什么類型的內(nèi)存，在數(shù)據(jù)被傳輸之前，傳送方必須花費一定時間去等待傳輸請求的響應(yīng)，通俗點說就是傳輸前傳輸雙方必須要進(jìn)行必要的通信，而這種就會造成傳輸?shù)囊欢ㄑ舆t時間。CL設(shè)置一定程度上反映出了該內(nèi)存在CPU接到讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)的指令后，到正式開始讀取數(shù)據(jù)所需的等待時間。不難看出同頻率的內(nèi)存，CL設(shè)置低的更具有速度優(yōu)勢。 上面只是給大家建立一個基本的CL概念，而實際上內(nèi)存延遲的基本因素絕對不止這些。內(nèi)存延遲時間有個專門的術(shù)語叫“Latency”。要形象的了解延遲，我們不妨把內(nèi)存當(dāng)成一個存儲著數(shù)據(jù)的數(shù)組，或者一個EXCEL表格，要確定每個數(shù)據(jù)的位置，每個數(shù)據(jù)都是以行和列編排序號來標(biāo)示，在確定了行、列序號之后該數(shù)據(jù)就唯一了。內(nèi)存工作時，在要讀取或?qū)懭肽硵?shù)據(jù)，內(nèi)存控制芯片會先把數(shù)據(jù)的列地址傳送過去，這個RAS信號（Row Address Strobe，行地址信號）就被激活，而在轉(zhuǎn)化到行數(shù)據(jù)前，需要經(jīng)過幾個執(zhí)行周期，然后接下來CAS信號（Column Address Strobe，列地址信號）被激活。在RAS信號和CAS信號之間的幾個執(zhí)行周期就是RAS-to-CAS延遲時間。在CAS信號被執(zhí)行之后同樣也需要幾個執(zhí)行周期。此執(zhí)行周期在使用標(biāo)準(zhǔn)PC133的SDRAM大約是2到3個周期；而DDR RAM則是4到5個周期。在DDR中，真正的CAS延遲時間則是2到2.5個執(zhí)行周期。RAS-to-CAS的時間則視技術(shù)而定，大約是5到7個周期，這也是延遲的基本因素。 CL設(shè)置較低的內(nèi)存具備更高的優(yōu)勢，這可以從總的延遲時間來表現(xiàn)。內(nèi)存總的延遲時間有一個計算公式，總延遲時間=系統(tǒng)時鐘周期×CL模式數(shù)+存取時間（tAC）。首先來了解一下存取時間（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時的最大數(shù)輸入時鐘，是以納秒為單位的，與內(nèi)存時鐘周期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時間（tAC）代表著讀取、寫入的時間，而時鐘頻率則代表內(nèi)存的速度。 舉個例子來計算一下總延遲時間，比如一條DDR333內(nèi)存其存取時間為6ns，其內(nèi)存時鐘周期為6ns（DDR內(nèi)存時鐘周期＝1X2/內(nèi)存頻率，DDR333內(nèi)存頻率為333，則可計算出其時鐘周期為6ns）。我們在主板的BIOS中將其CL設(shè)置為2.5，則總的延遲時間＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL設(shè)置為2，那么總的延遲時間＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就減少了3ns的時間。 從總的延遲時間來看，CL值的大小起到了很關(guān)鍵的作用。所以對系統(tǒng)要求高和喜歡超頻的用戶通常喜歡購買CL值較低的內(nèi)存。目前各內(nèi)存顆粒廠商除了從提高內(nèi)存時鐘頻率來提高DDR的性能之外，已經(jīng)考慮通過更進(jìn)一步的降低CAS延遲時間來提高內(nèi)存性能。不同類型內(nèi)存的典型CL值并不相同，例如目前典型DDR的CL值為2.5或者2，而大部分DDR2 533的延遲參數(shù)都是4或者5，少量高端DDR2的CL值可以達(dá)到3。 不過，并不是說CL值越低性能就越好，因為其它的因素會影響這個數(shù)據(jù)。例如，新一代處理器的高速緩存較有效率，這表示處理器比較少地直接從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)。再者，列的數(shù)據(jù)會比較常被存取，所以RAS-to-CAS的發(fā)生幾率也大，讀取的時間也會增多。最后，有時會發(fā)生同時讀取大量數(shù)據(jù)的情形，在這種情形下，相鄰的內(nèi)存數(shù)據(jù)會一次被讀取出來，CAS延遲時間只會發(fā)生一次。 選擇購買內(nèi)存時，最好選擇同樣CL設(shè)置的內(nèi)存，因為不同速度的內(nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，系統(tǒng)會以較慢的速度來運行，也就是當(dāng)CL2.5和CL2的內(nèi)存同時插在主機(jī)內(nèi)，系統(tǒng)會自動讓兩條內(nèi)存都工作在CL2.5狀態(tài)，造成資源浪費。 知道了嗎^_^？？？